Si8430/31/35
Table 4. Electrical Characteristics (Continued)
(V DD1 = 3.3 V ±10%, V DD2 = 3.3 V ±10%, T A = –40 to 125 oC; applies to narrow and wide-body SOIC packages)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Si843xBx
Maximum Data Rate
Minimum Pulse Width
0
150
6.0
Mbps
ns
Propagation Delay
Pulse Width Distortion
|t PLH - t PHL |
Propagation Delay Skew 2
Channel-Channel Skew
t PHL , t PLH
PWD
t PSK(P-P)
t PSK
See Figure 2
See Figure 2
3.0
6.0
1.5
2.0
0.5
9.5
2.5
3.0
1.8
ns
ns
ns
ns
All Models
Output Rise Time
Output Fall Time
Common Mode Transient
Immunity
Enable to Data Valid 3
Enable to Data Tri-State 3
Start-up Time 3,4
t r
t f
CMTI
t en1
t en2
t SU
C L = 15 pF
See Figure 2
C L = 15 pF
See Figure 2
V I = V DD or 0 V
See Figure 1
See Figure 1
4.3
3.0
25
5.0
7.0
15
6.1
4.3
8.0
9.2
40
ns
ns
kV/μs
ns
ns
μs
Notes:
1. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 85 ? , ±40%, which is a combination of the
value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving loads
where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
2. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at
the same supply voltages, load, and ambient temperature.
3. See "3. Errata and Design Migration Guidelines" on page 25 for more details.
4. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
Rev. 1.6
11
相关PDF资料
SI8442BB-C-IS1 IC ISOLATOR DGTL 4CH 16SOIC
SI8451BB-A-IS1 IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC
SI8460BB-A-IS1 IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC
SI8606AC-B-IS1 IC ISOLATOR BIDIR 3.75KV 16SOIC
SI8621ED-B-IS IC ISOLATOR 2CH 5KV 16-SOIC
SI8631EC-B-IS1 IC ISOLATOR 3CH 3.75KV 16-SOIC
SI8641ED-B-IS IC ISOLATOR 4CH 5.0KV 16-SOIC
SI8652BD-B-IS IC ISOLATOR 5CH 5.0KV 16-SOIC
相关代理商/技术参数
Si8435BB-C-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 Tri Ch 2.5kV Isolatr 150M 3/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8435BB-C-ISR 功能描述:隔离器接口集成电路 Tri Ch 2.5kV Isolatr 150M 3/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8435BB-D-IS 功能描述:隔离器接口集成电路 Tri Ch 2.5kV Isolator 150M 3/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8435BB-D-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 Tri Ch 2.5kV Isolatr 150M 3/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8435BB-D-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 Tri Ch 2.5kV Isolatr 150M 3/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8435BB-D-ISR 功能描述:隔离器接口集成电路 Tri Ch 2.5kV Isolator 150M 3/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8435-B-IS 功能描述:IC ISOLATOR 3CH 2.5KV 16SOIC RoHS:是 类别:隔离器 >> 数字隔离器 系列:ISOpro 产品培训模块:IsoLoop® Isolator 标准包装:50 系列:IsoLoop® 输入 - 1 侧/2 侧:5/0 通道数:5 电源电压:3 V ~ 5.5 V 电压 - 隔离:2500Vrms 数据速率:110Mbps 传输延迟:12ns 输出类型:CMOS 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:16-SOIC N 包装:管件 工作温度:-40°C ~ 85°C 其它名称:390-1053-5
SI8435DB 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET